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胶体量子点(Colloidal Quantum Dots,QDs)是一种具有荧光效率高、发光峰窄、波长可随尺寸调整等优点的新型发光材料,而采用量子点作为发光材料的量子点LED(Quantum Dots Light Emitting Diode,QLED)具有低能耗、低制造成本、寿命长、发光波长可调等诸多优点,在平板显示及固体照明中有着巨大的应用潜力,被称为第四代照明光源。目前国内外对QLED的研究刚刚起步,而对蓝光QLED的研究更是比较少。本论文采用蓝光量子点ZnCdS/ZnS作为发光层,除阴极金属外全部采用溶液旋涂法制备了结构为ITO/PEDOT:PSS/Ploy-TPD+TCTA/QDs/ZnO/Al的量子点LED,对器件的光电性能进行了测试并在此基础上对器件各功能层结构和制备工艺进行了优化。采用不同的处理方法对阳极ITO表面进行了处理,并对比了不同处理方法对器件性能的影响。实验发现,ITO表面经过处理后可以提高表面功函数,降低表面粗糙度,从而提高空穴的注入效率,降低器件的开启电压。研究了异丙醇和酸处理改性对空穴注入层PEDOT:PSS薄膜质量及QLED器件性能的影响。实验发现,加入适量的异丙醇能显著改善PEDOT:PSS溶液与ITO衬底的接触,薄膜的成膜质量明显提高。酸处理过程中酸溶液中的H+和PEDOT:PSS中的PSS-结合,导电的PEDOT比例增加,从而提高了 PEDOT:PSS薄膜的导电率,进而提高器件的光电效率,酸浓度过高时,会对薄膜及下层ITO膜有一定程度的损坏腐蚀,影响器件的发光性能,酸浓度为0.75 mol/L时的器件的性能最好,其最大亮度可以达到1133cd/m2。对空穴传输层材料Ploy-TPD与TCTA混合比例对器件性能的影响进行了研究。TCTA的HOMO能级较低,可以减小量子点层与Poly-TPD之间的势垒,促进空穴的注入。结果表明:当质量比为Ploy-TPD:TCTA(3:1)时,器件的最大亮度达到1357cd/m2,然而由于空穴传输能力的限制,过多加入TCTA会使空穴传输效率下降,器件的发光效率降低。分别研究了量子点发光层厚度以及不同配体的量子点对器件性能的影响。实验发现较薄的量子点层利于载流子注入和光透射,降低器件的内阻,器件的发光亮度得到提高。此外短链配体的器件表现出了更优的光电特性,短链配体更有利于载流子的有效注入,同时可以减小量子点与有机空穴传输层之间的距离,从荧光共振能量转移机制上进一步提高器件的发光效率。根据改进条件制备了最优器件,器件性能良好,最大亮度达到1716cd/m2。