纳米材料或结构的出现推动了材料学科和微纳尺度电子器件的发展,其中石墨烯的发现也使得学者们开始关注二维纳米材料或结构的制备及性质研究。纳米带作为其中一种准一维纳米材料,通常具有独特的力学和光电性质。另外,二维纳米材料或结构由于本身独特的物理性质使其在很多领域有着广泛应用前景。然而研究发现,单独的二维纳米材料或结构在实际应用中往往存在一定局限性,研究者们尝试使用两种或多种此类材料或结构通过层间的范德华力来构造范德瓦尔斯异质结构或直接构造层内异质结构,来改进材料的性质从而使其更好地发挥应用价值。在此背景下,本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法对氮化镓(Ga N)纳米带和二维黑磷(蓝磷)/氧化锌(Black Phosphorous(Blue Phosphorous)/Zn O,以下简称为:Black P(Blue P)/Zn O)范德瓦尔斯异质结构的力学和电学性质进行研究。主要内容如下:(1)利用第一性原理方法计算得到二维Ga N、Black P、Blue P和Zn O的最稳定的晶体结构以及相应的的晶格常数。(2)构建扶手椅型(Armchair)和锯齿型(Zigzag)Ga N纳米带,并考虑边缘进行钝化处理后的纳米带,计算其结合能、边缘能、边缘应力和边缘模量,发现Ga N纳米带边缘在不同构型下均处于受压状态,Ga N纳米带边缘在加氢钝化处理后其边缘应力会减小。本文还计算了不同边缘构型的Zigzag型Ga N纳米带的电子能带结构,发现对Zigzag型Ga N纳米带的两端边缘均进行钝化处理后,纳米带从导体变为具有间接带隙的半导体。(3)构建稳定的二维Black P/Zn O和Blue P/Zn O范德瓦尔斯异质结构,分别计算了两种异质结构的弹性系数、压电系数、电子能带结构和态密度。结果表明通过构建二维范德瓦尔斯异质结构对压电性起着一定的改进作用,其弹性性质也得到增强。本文的研究成果对二维纳米材料或结构的应用和物理力学性质的研究有一定的参考意义。