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采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)的速率方程.讨论了阈值电流密度、最佳阱数等与器件参数(腔长和端面反射率)之间的依赖关系.为改善VCSELs阈值特性和优化器件结构提供了理论依据.
基于对数关系的多量子阱VCSELs阈值特性研究
【摘 要】
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采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)的速率方程.讨论了阈值电流密度、最佳阱数等与器件参
【机 构】
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华南师范大学光电子材料与技术研究所
【出 处】
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光电子技术与信息
【发表日期】
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2005年1期
【基金项目】
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国家科技攻关项目(00-068)
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