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硅上异质外延材料和器件的研究动向
硅上异质外延材料和器件的研究动向
来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:shijianwu2003
【摘 要】
:
本文分别介绍了GaAs/Si、PTCDA/Si和YBCO/Si这三种以硅为基体异质材料的结构、特点、需解决的问题及其在半导体器件制备中的应用,同时也指出了它们今后的发展方向。
【作 者】
:
宋登元
【机 构】
:
河北大学电子系
【出 处】
:
半导体技术
【发表日期】
:
1991年1期
【关键词】
:
硅
异质处延材料
GAAS/SI
器件
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本文分别介绍了GaAs/Si、PTCDA/Si和YBCO/Si这三种以硅为基体异质材料的结构、特点、需解决的问题及其在半导体器件制备中的应用,同时也指出了它们今后的发展方向。
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