LPEGaAs/Ga_(1-X)A1_xAs多层光阴极材料均匀性研究

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用LPE法生长了表面光亮、性质均匀的P-Ga_(1-x)A1_xAs/p-GaAs/p一Ga_(1-x)A1_xAs/n-GaAs(衬底)多层异质材料;研究了材料的电学性质、掺杂剂分配,探讨了外延层的厚度均匀性、组份均匀性并观察了表面形貌。结果表明上述材料可用于制备第三代光阴极。 The multi-layer heterogeneous materials of P-Ga_ (1-x) Al_xAs / p-GaAs / p-Ga_ (1-x) Al_xAs / n-GaAs substrates with bright surface and uniform surface were grown by LPE method. The electrical properties of the material, the dopant distribution, the uniformity of the thickness of the epitaxial layer, the uniformity of the composition, and the observation of the surface topography. The results show that the above materials can be used to prepare the third generation photocathode.
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