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波导表面粗糙度引起的散射损耗是SiO2光波导传输损耗的主要来源，通过降低表面粗糙度可以获得低损耗SiO2光波导。通过优化ICP干法刻蚀工艺的各参数（如温度、压强、气体流量、感应／偏置功率等）获得了低粗糙度的SiO2光波导，并采用SEM和AFM对刻蚀表面粗糙度进行了定量测试。采用优化刻蚀工艺可将表面粗糙度从35．4nm降低到3．6nm，波导传输损耗约为0．1dB／cm。