【摘 要】
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一、前 言 最近,Ⅲ-Ⅴ族化合物作为光电发射体引起人们的重视.早在1965年,舍尔(J.J.Scheer)和拉尔(JVan.Laar)[1]发表了一种 GaAs-Cs新型光电发射材料,在超高真空下劈裂一块p
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一、前 言 最近,Ⅲ-Ⅴ族化合物作为光电发射体引起人们的重视.早在1965年,舍尔(J.J.Scheer)和拉尔(JVan.Laar)[1]发表了一种 GaAs-Cs新型光电发射材料,在超高真空下劈裂一块p型重掺CaAs单晶并进行艳化处理,其灵敏度达到500微安/流明.在詹姆士(L, W.James)[2]等人的实验中,另加?
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