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磁性多层膜的正巨磁电阻特性
磁性多层膜的正巨磁电阻特性
来源 :功能材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户:haierv70
【摘 要】
:
采用离子束溅射方法制备了正巨磁电阻多层膜,在制备过程中采用外加磁场和退火处理.在室温条件下多层膜的巨磁电阻效应达到200%~300%,并用磁矩取向的双电流导电模型对正磁电阻
【作 者】
:
张栋杰
都有为
【机 构】
:
南京师范大学分析测试中心材料科学实验室,南京大学固体微结构国家重点实验室
【出 处】
:
功能材料
【发表日期】
:
2003年6期
【关键词】
:
磁性多层膜
正巨磁电阻
离子束溅射
制备
磁场
退火
Annealing
Electromagnetic fields
Ion beam assisted de
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采用离子束溅射方法制备了正巨磁电阻多层膜,在制备过程中采用外加磁场和退火处理.在室温条件下多层膜的巨磁电阻效应达到200%~300%,并用磁矩取向的双电流导电模型对正磁电阻的机理进行了解释.
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