多孔硅甲苯悬浮体系电泳沉积的研究

来源 :材料工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：titanium2002

【摘要】

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用电阻率为80～100Ω*cm的n型硅基底制备了多孔硅(PS),将其用超声波振荡的方法分散到甲苯中制成稳定的悬浮体系.发现该体系中的多孔硅微粒可以在电场下作定向的电泳迁移,在正极

【作者】

：

张华李怀祥

【机构】

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山东师范大学半导体研究所

【出处】

：

材料工程

【发表日期】

：

2002年4期

【关键词】

：

多孔硅甲苯悬浮体系电泳沉积荧光半导体材料发光性能 porous silicon(PS) suspended system in toluene ele

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用电阻率为80～100Ω*cm的n型硅基底制备了多孔硅(PS),将其用超声波振荡的方法分散到甲苯中制成稳定的悬浮体系.发现该体系中的多孔硅微粒可以在电场下作定向的电泳迁移,在正极上形成良好的沉积层.实验发现甲苯悬浮体系的荧光强度与浓度成良好的线性的关系,并测定了电泳沉积过程中甲苯分散体系的荧光强度与电泳沉积时间和外加电场强度的关系.用扫描电镜(SEM)对不同条件下得到的多孔硅沉积层及原生多孔硅作了形貌观察比较.用X光电子能谱(XPS)和红外透射光谱对原生多孔硅和多孔硅沉积层进行了成分分析.研究表明,多孔硅

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