【摘 要】
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制造了0.4μm×250μm栅赝配AlGaAs-InGaAs HEMT。器件具有比良的高频、低噪声特性。赝配材料采用分子束外延生长。本文介绍了器件结构、性能并讨论了沟道电子的平均速度。
【机 构】
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机电部13所 石家庄 050051
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制造了0.4μm×250μm栅赝配AlGaAs-InGaAs HEMT。器件具有比良的高频、低噪声特性。赝配材料采用分子束外延生长。本文介绍了器件结构、性能并讨论了沟道电子的平均速度。
A 0.4 μm × 250 μm gate-pocketed AlGaAs-InGaAs HEMT was fabricated. The device has better than the high-frequency, low noise characteristics. Pseudo-material using molecular beam epitaxy. This article describes the device structure, performance and discusses the average channel electron speed.
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