【摘 要】
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提出了一种抗辐射加固12T SRAM存储单元.采用NMOS管组成的堆栈结构降低功耗,利用单粒子翻转特性来减少敏感节点,获得了良好的可靠性和低功耗.Hspice仿真结果表明,该加固SRAM
【机 构】
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合肥工业大学电子科学与应用物理学院,合肥230601;重庆吉芯科技有限公司,重庆400030;安徽工程大学电气工程学院,安徽芜湖241000
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提出了一种抗辐射加固12T SRAM存储单元.采用NMOS管组成的堆栈结构降低功耗,利用单粒子翻转特性来减少敏感节点,获得了良好的可靠性和低功耗.Hspice仿真结果表明,该加固SRAM存储单元能够完全容忍单点翻转,容忍双点翻转比例为33.33%.与其他10种存储单元相比,该存储单元的面积开销平均增加了 3.90%,功耗、读时间和写时间分别平均减小了34.54%、6.99%、26.32%.电路静态噪声容限大且稳定性好.
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