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研究了VLP/CVD低温硅外延生长技术.利用自制的VLP/CVD设备,在低温条件下,成功地研制出晶格结构完好的硅同质结外延材料.扩展电阻、X射线衍射谱和电化学分布研究表明,在低温下(T＜800.C)应用VLP/CVD技术,可以生长结构完好的硅外延材料;且材料生长界面的杂质浓度分布更陡峭.
VLP／CVD低温硅外延
【摘 要】
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研究了VLP/CVD低温硅外延生长技术.利用自制的VLP/CVD设备,在低温条件下,成功地研制出晶格结构完好的硅同质结外延材料.扩展电阻、X射线衍射谱和电化学分布研究表明,在低温下
【机 构】
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南京电子器件研究所
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2001年5期
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