【摘 要】
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以乙酰丙酮铱为沉积源物质,采用化学气相沉积法在金属钼基体上制备铱薄膜,研究基体加热温度对铱薄膜沉积速率的影响.发现铱在钼基体的生长规律不符合Arrhenius公式,当T低于75
【机 构】
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贵研铂业股份有限公司(昆明)中南大学(长沙)
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以乙酰丙酮铱为沉积源物质,采用化学气相沉积法在金属钼基体上制备铱薄膜,研究基体加热温度对铱薄膜沉积速率的影响.发现铱在钼基体的生长规律不符合Arrhenius公式,当T<,sub>低于750℃时,D<,r>随T<,sub>的上升而直线增加;而当T<,sub>高于750℃时,D<,r>则随T<,sub>的上升而呈直线降低,D<,r>值在750℃时达到最大.SEM研究表明,铱薄膜以约0.1μm的颗粒沉积生长,表面形貌与钼基体表面加工痕迹相对应,铱薄膜中的氧含量与沉积过程通入的氧气流量有关.
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