【摘 要】
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利用Tersoff半经验多体相互作用势和分子动力学模拟方法研究了荷能C原子与Si(001)-(2×1)重构表面碰撞动力学过程中入射C原子能量随时间的变化情况,观察到了C原子和表面S
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利用Tersoff半经验多体相互作用势和分子动力学模拟方法研究了荷能C原子与Si(001)-(2×1)重构表面碰撞动力学过程中入射C原子能量随时间的变化情况,观察到了C原子和表面Si原子成键过程中C原子的吸附、Si原子二聚键的打开、C原子的徙动以及C、Si原子成键等物理过程,并对不同入射位置处入射C原子和表面Si原子碰撞过程中能量转移机理进行了分析.模拟结果表明,C原子相对于表面不同的局部构型发生不同的碰撞过程,而C原子能量的提高有利于成键过程的发生,结果为SiC在Si表面生长初期物理过程的认识
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