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本文利用密度泛函理论（DFT）第一性原理平面波超软赝方法对C-Si共掺杂TiO2电子结构、差分电荷密度和光学特性进行了研究，计算结果表明，共掺杂能明显降低体系的带隙（约为1.7eV）。能有效增加其光催化活性；从总态密度图可以得到，费米能级附近的杂质态降低了载波跃迁能。C-Si的共掺杂能有效提高其在可见光区域的吸收系数，特别是在三种不同的构型中，第三构型在可见光区域具有最大吸收系数。