【摘 要】
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中子属于高传能线密度电离辐射,能产生比κ射线更为严重的放射损伤,肠上皮对中子辐射高度敏感,迄今未见有关中子辐射致肠上皮细胞损伤中PI3K对NF-κB信号通路调控的研究报道.
【机 构】
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军事医学科学院放射与辐射医学研究所;
【基金项目】
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国家自然科学基金(批准号:30870735)资助项目
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中子属于高传能线密度电离辐射,能产生比κ射线更为严重的放射损伤,肠上皮对中子辐射高度敏感,迄今未见有关中子辐射致肠上皮细胞损伤中PI3K对NF-κB信号通路调控的研究报道.本研究旨在探讨中子照射后肠上皮细胞中PI3K对NF-κB信号通路的调控及其在中子辐射致肠上皮细胞损伤中的作用.选取肠上皮细胞系-6(intestinal epithelial cell No.6,IEC-6)进行传代培养,随机分为对照组、4Gy中子照射组和4Gy中子照射+LY294002处理组,照射组和LY294002处理组细胞采用4Gy中子均匀照射,LY294002处理组细胞在照前24h给予终浓度为10κmol/L的LY294002,各组于照射后6和24h采用MTT比色法、流式细胞术和免疫印迹(Western blot)方法检测IEC-6细胞增殖活力、凋亡与坏死率以及NF-κB信号通路相关分子NF-κB(p65),IKKκ和IκBκ的表达变化.研究发现,4Gy中子照射后6和24h,IEC-6细胞增殖活力下降,凋亡和坏死率增加;应用LY294002后IEC-6细胞增殖活力较照射组明显下降,IEC-6细胞凋亡和坏死率较照射组增加.4Gy中子照射后6和24h,IEC-6细胞NF-κB(p65)和IKKκ表达升高,IκBκ表达降低;应用LY294002后NF-κB(p65)和IKKκ表达降低,IκBκ表达升高,表明4Gy中子照射可引起IEC-6细胞增殖活力下降,凋亡和坏死率增加;PI3K可激活NF-κB信号通路,对中子辐射IEC-6细胞损伤发挥保护作用.
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