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通过离子注入技术制备了ZnMnO半导体材料,研究离子注入剂量与退火对材料光谱性质的影响.Raman光谱研究发现,575cm-1处声子模展宽是由高剂量Mn注入引起的缺陷所致,退火样品528cm-1振动模来自Mn相关的杂质振动.室温光致发光谱表明,退火对高剂量注入样品的可见发光带有增强作用.
基于离子注入技术的ZnMnO半导体材料的制备及光谱表征
【摘 要】
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通过离子注入技术制备了ZnMnO半导体材料,研究离子注入剂量与退火对材料光谱性质的影响.Raman光谱研究发现,575cm-1处声子模展宽是由高剂量Mn注入引起的缺陷所致,退火样品528
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083
【出 处】
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物理学报
【发表日期】
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2006年4期
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