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以2、4——二氯苯酚光催化降解为探针反应,比较了Bi2O3和Bi2O3—V2O5的光催化降解活性,并对其进行正电子湮没研究发现:Bi2O3—V2O5有较多的表面缺陷数目,缺陷位电子密度大,催化活性好;对不同焙烧温度下Bi2O3—V2O5的催化活性和正电子湮没进行研究分析,结果表明,在850℃下焙烧Bi2O3—V2O5的表面缺陷数目多,光催化活性好.