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采用ＭＩＳ模型进行ＶＤＭＯＳ器件多级场板终端结构的设计并通过二维数值计算对ＭＩＳ模型进行了修正，在工艺上首次引入了聚酰亚胺／ＳｉＯ２复合介质层进行多层布线，形成阶梯形场板，使ＶＤＭＯＳ器件的终端耐压量ＢＶ≥７００Ｖ。
高压VDMOS场板终端技术的研究
【摘 要】
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采用ＭＩＳ模型进行ＶＤＭＯＳ器件多级场板终端结构的设计并通过二维数值计算对ＭＩＳ模型进行了修正，在工艺上首次引入了聚酰亚胺／ＳｉＯ２复合介质层进行多层布线，形成阶梯形场板，使ＶＤＭＯＳ器件的终端耐压量ＢＶ≥７００Ｖ。
【机 构】
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华中理工大学电子科学与技术系
【出 处】
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华中理工大学学报
【发表日期】
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1999年4期
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