n型<100>掺硫GaP单晶研制

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近年来,国内对发光二极管(LED)的需求量越来越大,并由单一的红、绿色向多色化发展。本文报道了黄、橙、红色LED用n型GaP单晶衬底的生长工艺及产品用作衬底和芯片的使用情况。 (一)单晶制备 单晶生长在MSR6R高压单晶炉内进行,石墨电阻加热。99.9999%的高纯镓及高纯磷先期在高压合成炉内制成GaP多晶。 In recent years, domestic demand for light-emitting diodes (LEDs) is growing, and from a single red, green to multicolor development. This paper reports the growth of n-type GaP single-crystal substrates for yellow, orange and red LEDs and the use of products as substrates and chips. (A) Single Crystal Preparation Single crystal growth in MSR6R high pressure single crystal furnace, graphite resistance heating. 99.9999% of high-purity gallium and high-purity phosphorus in the high-pressure synthesis furnace made of polycrystalline GaP.
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