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根据TCAD软件模拟的最优工艺条件成功研制了高压nMOS器件．测试结果表明器件的击穿电压为114V，阈值电压和最大驱动能力分别为1．02V和7．5mA（W／L=50）．详细比较了器件的模拟结果和测试数据，并且提出了一种改善其击穿性能的方法．
高压nMOS器件的设计与研制
【摘 要】
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根据TCAD软件模拟的最优工艺条件成功研制了高压nMOS器件．测试结果表明器件的击穿电压为114V，阈值电压和最大驱动能力分别为1．02V和7．5mA（W／L=50）．详细比较了器件的模拟结果和测试数
【机 构】
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中国科学院微电子研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2005年8期
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划资助项目（批准号：2003CB314705）
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