自组装Si量子点阵中室温共振隧穿及微分负阻特性

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：deng_95132

【摘要】

：

报道了自组装Si量子点(Si-QDs)阵列在室温下的共振隧穿及其微分负阻特性.在等离子增强化学气相沉淀系统中,采用layer-by-layer的淀积技术和原位等离子体氧化方法制备了Al/SiO

【作者】

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余林蔚陈坤基宋捷王久敏王祥李伟黄信凡

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2006年z1期

【关键词】

：

Si量子点阵列 NDR 共振隧穿

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展规划(批准号:2001CB610503)和国家自然科学基金(批准号:90101020,90301009,10174035)资助项目 Project supported by the State Key Development Program for Basic Research of China(No. 2001CB610503) and the National Natura

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报道了自组装Si量子点(Si-QDs)阵列在室温下的共振隧穿及其微分负阻特性.在等离子增强化学气相沉淀系统中,采用layer-by-layer的淀积技术和原位等离子体氧化方法制备了Al/SiO2/Si-QDs/SiO2/Substrate双势垒结构.通过原子力显微镜和透射电子显微镜检测,证实所获得的Si-QDs阵列中Si量子点平均尺寸为6nm,并具有较好的尺寸均匀性(小于10%).在对样品的室温I-V和C-V特性的测量中,直接观测到由于Si量子点中分立能级而引起的共振隧穿和充电效应:I-V特性表现出显著的

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