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采用卢瑟福背散射及沟道效应、X射线双晶衍射和光致发光谱三种技术对两类未故意掺杂的 MOVPE生长的 Ga N样品进行综合测试 .它们在表征 Ga N单晶膜质量方面结果一致
GaN的RBS／沟道,X射线双晶衍射和光致发光谱
【摘 要】
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采用卢瑟福背散射及沟道效应、X射线双晶衍射和光致发光谱三种技术对两类未故意掺杂的 MOVPE生长的 Ga N样品进行综合测试 .它们在表征 Ga N单晶膜质量方面结果一致
【机 构】
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南昌大学材料科学研究所!南昌330047,南昌大学材料科学?
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2000年5期
【基金项目】
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国家“8 63”新材料领域及国家自然科学基金 ,江西省跨世纪人才基金
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