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工艺因素对碳热还原法合成SiC的影响
工艺因素对碳热还原法合成SiC的影响
来源 :材料导报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:daijiangduck
【摘 要】
:
介绍了碳热还原法合成SiC的反应机理,综述了影响碳热还原法合成SiC的工艺因素,分析并比较了反应温度、碳源及配C量、原料组成和粒度、Ar流量和CO分压以及添加剂等因素对反应速
【作 者】
:
张淑会
薛向欣
杨合
刘欣
【机 构】
:
东北大学材料与冶金学院
【出 处】
:
材料导报
【发表日期】
:
2005年F05期
【关键词】
:
碳热还原法
反应机理
SiC影响因素
carbothennal reduction process
reaction mechanism
SiC
infl
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介绍了碳热还原法合成SiC的反应机理,综述了影响碳热还原法合成SiC的工艺因素,分析并比较了反应温度、碳源及配C量、原料组成和粒度、Ar流量和CO分压以及添加剂等因素对反应速率、产率及相组成的影响。
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