【摘 要】
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论文描述了一种集成于RFID标签芯片的高精度CMOS温度传感器，该温度传感器采用SMIC0．18μm2P4M CMOS工艺。利用MOS管工作在亚阈值区域时的温度特性，产生与绝对温度成正比（PTAT）的电
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论文描述了一种集成于RFID标签芯片的高精度CMOS温度传感器，该温度传感器采用SMIC0．18μm2P4M CMOS工艺。利用MOS管工作在亚阈值区域时的温度特性，产生与绝对温度成正比（PTAT）的电流，替代了传统的BJT。电流控制振荡器（CCO）将PTAT电流转换成频率与温度成正比的时钟信号，该时钟信号通过计数器转换为数字信号。通过对电流源和比较器的优化设计，该温度传感器在温度范围为-20℃～50℃时误差仅为-0．1／＋0．3℃。电源电压为1．8V时，工作电流小于50μA。
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