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采用减压化学气相淀积（RPCVD）技术在弛豫Si1-xGex虚拟衬底上赝晶生长应变硅层，以其为沟道材料制造得到的应变硅n-MOSFET表现出显著的性能提升。研究了通过改变Si1-xGex中Ge的摩尔组分x以改变硅帽层中的应变以及在器件制造流程中通过控制热开销来避免应变硅层发生弛豫等关键问题。在室温下，相对于体硅器件，应变硅器件表现出约87％的低场电子有效迁移率增强，在相同的过驱动电压下，饱和漏端电流增强约72％。在293K到353K的温度范围内研究了反型层电子有效迁移率和饱和漏端电流随温度的变化，实验结果