等离子体氮化相关论文
研究了低温等离子体氮化304奥氏体不锈钢过程中离子束流的重要作用.带有负偏压的不锈钢样片被插入到射频电感耦合等离子体反应器中......
以纯铁和 38CrMoAl为例给出了用电子回旋共振微波等离子体氮化的实验结果 ,并给出了气体成分及配比、时间、温度、偏压等工艺参数......
利用电子回旋共振微波放电氮等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化的探索 ,通过样品表征和等离子体成分探测 ,分析讨论了氮化......
介绍了利用MMT等离子体氮化工艺和炉管NO退火氮化工艺制备的超薄栅介质膜的电学特性和可靠性.结合两种氮化工艺在栅介质膜中形成了......
研究了射频电感耦合等离子体RF-ICP低温氮化304奥氏体不锈钢过程中离子束流的重要作用。带有负偏压的不锈钢样片被插入到射频电感......
本文论述了薄SiO_2膜的低温等离子体氮化。报道了所测试的氮化SiO_2膜的电学性能。利用AES、IR和SIMS等表面分析技术分析了膜的结......
通过对40Cr钢氮化处理的显微组织观察、硬度测量、元素分布情况测定、耐磨性的分析和表征，提出一种提高塑料模具表面硬度和耐磨性的......
将AISI420辉光离子氮化处理后，经显微硬度测量，X光衍射、扫描电镜、X光电子谱和俄歇能谱检测其硬度、结晶结构、显微组织和改性表面......
期刊
在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中,采用等离子体氧化和等离子体氮化的方法,在单晶硅表面上成功制备厚度小于10nm的超薄硅......
简要综述了等离子体氮化及物理气相沉积复合处理的新进展，主要介绍了复合处理的工艺进展、复合处理镀层的组织结构、膜／基结合力、耐......
In this study, plasma nitriding was used to fabricate a hard protective layer on AISI P20 steel, at three process temper......
在0.1μm级的Si-CMOS器件及其集成电路中,作为替代传统SiO2栅介质的首选材料,超薄SiOxNy膜已被广泛研究和应用.本文介绍了近几年Si......
MOSFET器件继续微缩则闸极氧化层厚度将持续减小,在0.13μm的技术闸极二氧化硅的厚度必须小于2 nm,然而如此薄的氧化层直接穿透电......
本文对等离子区浸没离子注入(PI~3)氮化工艺作了阐述。通过在低合金钢、工具钢、奥氏体不锈钢等钢中的实验研究,证明了(PI~3)氮化......
利用电子回旋共振微波放电氮等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化的探索，通过样品表征和等离子体成分探测，分析讨论了氮化机理......
目的研究不同复合涂层的结构及其对力学性能的影响。方法采用等离子体增强磁控溅射系统在奥氏体不锈钢表面分别进行等离子体氮化、......
...
运用正交试验法,研究1Cr18Ni9Ti奥氏体不锈钢等离子渗氮工艺。分析影响渗氮层结构和性能的主要工艺因素,获得渗氮工艺最优化参数。......
铀在核燃料及核工程领域有着非常广泛的应用。但由于金属态铀的化学活性非常高,使用过程中必须考虑防腐蚀。通过表面改性手段,在金......
