【摘 要】
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通过水热的方法以退火0.5 h的ZnO薄膜作为籽晶,得到垂直的ZnO纳米线.在X射线衍射谱中,除了Si的(400)衍射峰以外,只观察到了ZnO的(002)衍射峰.室温光致发光谱中出现了强的紫外
【机 构】
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奥尔良大学法国科学院材料分离研究中心,中国科学院激发态物理重点实验室长春光学精密机械与物理研究所,东北师范大学先讲光由功能材料研究中心
【基金项目】
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国家自然科学基金;中国科学院创新项目;国家自然科学基金重点项目;国家重点基础研究发展规划(973计划)
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通过水热的方法以退火0.5 h的ZnO薄膜作为籽晶,得到垂直的ZnO纳米线.在X射线衍射谱中,除了Si的(400)衍射峰以外,只观察到了ZnO的(002)衍射峰.室温光致发光谱中出现了强的紫外发射峰,同时也伴随着弱的缺陷相关的发射.这些数据表明垂直的ZnO纳米线序列有着较好的晶体质量.同时,通过光泵浦也观察到了ZnO纳米线中的激光发射.当激发功率密度超过阈值且进一步增加时,出现了多模发射峰,其积分强度随着激发功率密度的增大呈非线性的增长,并且在96 kW·cm-2处能清晰地观察到从自发发射到激射的转变.
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