硅分子束外延中硼δ掺杂生长研究

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利用硅分子束外延技术和B2O3掺杂源,成功地实现了硅中的硼δ掺杂,硼δ掺杂面密度NB可达3.4×10^14cm^-2(1/2单层)以上,透射电镜所示宽度为1.5nm。我们首次用原位俄歇电子能谱(AES)对硼在Si(100)表面上的δ掺杂行为进行了初步的研究,发现在NB〈3.4×10^14cm^-2时,硼δ掺杂面密度与时间成正比,衬底温度650℃,掺杂源温度900℃时,粘附速率为4.4×10^13c
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