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为降低黑硅材料的成本,将太阳电池级单晶硅片浸入含有氯金酸(HAuCl4)的草酸/氢氟酸(H2C2O4/HF)混合水溶液中做刻蚀.利用扫描电子显微镜(SEM)和紫外—可见—近红外分光光度计对表面形貌和反射光谱进行了表征与测量.结果表明:样品表面具有网格状陷光结构,在350~2 500nm波段平均反射率约为11.3%.