【摘 要】
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借助于递减横向几何尺寸和形成浅结的办法,已经研制出新的30ps 硅双极集成电路。采用超自对准工艺技术(SST)已制造出一种具有0.35μm 发射极条宽和1.57μm 基区范围的 NPN 晶
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借助于递减横向几何尺寸和形成浅结的办法,已经研制出新的30ps 硅双极集成电路。采用超自对准工艺技术(SST)已制造出一种具有0.35μm 发射极条宽和1.57μm 基区范围的 NPN 晶体管。该器件在集电极-发射极电压为1V 和 3V 时,f_T 分别为13.7GHz 和17.1GHz。非阈逻辑每门传输延迟时间已做到30ps/门,低电流型逻辑每门传输延迟时间已达50ps/门。
A new 30ps silicon bipolar integrated circuit has been developed by reducing the horizontal geometry and forming shallow junctions. An NPN transistor having a 0.35 μm emitter width and a base area of 1.57 μm has been fabricated using Super Snapping Technology (SST). The device at collector-emitter voltage of 1V and 3V, f_T respectively 13.7GHz and 17.1GHz. Non-Threshold Logic Each gate transmission delay time has been achieved 30ps / gate, low-current logic transfer delay per door has reached 50ps / gate.
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