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简述了利用注氧隔离法（SIMOX）制备的SOI材料中产生的一些不同于体硅材料的特殊缺陷,涉及表面缺陷、Si/SiO2界面缺陷和埋氧层缺陷,包括这些缺陷的产生机制、表征方法以及一些降低和消除措施。
SOI材料的缺陷及其表征
【摘 要】
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简述了利用注氧隔离法（SIMOX）制备的SOI材料中产生的一些不同于体硅材料的特殊缺陷,涉及表面缺陷、Si/SiO2界面缺陷和埋氧层缺陷,包括这些缺陷的产生机制、表征方法以及一些降
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室
【出 处】
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材料导报
【发表日期】
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2007年3期
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