工作在亚阈区之纯MOS管电压基准的设计

来源 :西安工程大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：e1025

【摘要】

：

采用工作在亚阈值区的NMOS和源极耦合对的组合设计一种无三极管、无大电阻、无运放的，工作在亚阈区的纯MOS电压基准源．利用CSMC（华润上华）0．5μmBiCMOS工艺，采用Cadencespice软件仿

【作者】

：

魏全傅兴华王元发

【机构】

：

贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室

【出处】

：

西安工程大学学报

【发表日期】

：

2013年2期

【关键词】

：

纯MOS管电压基准亚阈值区源耦合对温度系数 pure-MOS voltage reference subthreshold region source

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采用工作在亚阈值区的NMOS和源极耦合对的组合设计一种无三极管、无大电阻、无运放的，工作在亚阈区的纯MOS电压基准源．利用CSMC（华润上华）0．5μmBiCMOS工艺，采用Cadencespice软件仿真．测试结果显示，输出基准电压为1．520V，电路功耗仅200nA，在温度范围（-20℃-100℃）内的温度系数为31．30ppm／℃．

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