【摘 要】
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研究了离子束溅射（IBS）制备的Nb2O5、Ta2O5和SiO2薄膜的光学特性、力学特性以及薄膜微结构,分析了辅助离子源电压对薄膜特性的影响,并将电子束蒸发、离子辅助沉积和IBS制备的薄
【机 构】
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浙江大学光电科学与工程学院现代光学仪器国家重点实验室;
【基金项目】
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国家863计划(2015AA015904);中国博士后科学基金(2016M601936);博士后创新人才支持计划(BX201600135);中科院强激光材料重点实验室开放课题
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研究了离子束溅射（IBS）制备的Nb2O5、Ta2O5和SiO2薄膜的光学特性、力学特性以及薄膜微结构,分析了辅助离子源电压对薄膜特性的影响,并将电子束蒸发、离子辅助沉积和IBS制备的薄膜进行了对比。研究结果表明,IBS制备的薄膜具有更好的光学特性和微结构,同时具有较大的压应力、硬度和杨氏模量;辅助离子源可以改善薄膜的光学特性,调节薄膜应力和减小薄膜表面粗糙度,但对硬度和杨氏模量的影响相对较小。在不同的辅助离子源电压下,IBS制备的Nb2O5应力为-152-281 MPa,Ta2O5的应力为-299-373 MPa,SiO2的应力为-427-577 MPa;在合适的工艺参数下,消光系数可小于10-4;薄膜表面平整,均方根粗糙度小于0.2nm。
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