【摘 要】
：
用“S”枪磁控反应溅射制备TiN、ZrN和三元化合物(Ti、Zr)N薄膜。这些薄膜的电阻率在40～190μΩ·cm范围。它们与n~+型硅的接触电阻在10~(-3)～10~(-6)Ω·cm~2量级;与P
【机 构】
：
复旦大学真空物理研究室,复旦大学分析测试中心
论文部分内容阅读
用“S”枪磁控反应溅射制备TiN、ZrN和三元化合物(Ti、Zr)N薄膜。这些薄膜的电阻率在40～190μΩ·cm范围。它们与n~+型硅的接触电阻在10~(-3)～10~(-6)Ω·cm~2量级;与P型硅的接触电阻为10~(-3)Ω·cm~2量级。与n型硅形成的肖特基势垒高度为0.39V。TEM分析显示三种氮化物薄膜均为多晶结构。RBS、SAM和XRD的分析都表明TiN和ZrN薄膜作为防止铝/硅互扩散阻挡层所能承受的最高温度是600℃,(Ti、Zr)N为550℃。
其他文献
随着信息技术的进步,大数据时代已经到来,在这样一个信息爆炸的时代,谁能全面、有效的掌握信息谁就能在竞争中获取优势。因此在信息时代,能准确获取与及时了解热点信息的发展
压力已是现代快节奏生活的普遍特征,越来越多的人感受到了压力.高等院校体育教育专业培养的职前体育教师不仅仅是在学业中感到压力,他们尤其在实习中会感受到很大的压力.国外
要脱贫也要致富，发展产业至关重要。$$“复活”千年古陶艺、山窝小村引来毛绒玩具厂、解决农村电子商务“最后一公里”问题……去年以来，新安县依托科技扶贫、到户增收资金等，大
随着精密加工技术的广泛应用,数控机床旋转轴的误差和精度日益受到人们的关注。误差补偿法将补偿值直接叠加到数控机床运动轴上,从而消除或减小机床误差值,是目前提升机床精度的常用方法。本文以数控机床旋转轴为研究对象,对其进行了几何误差测量与补偿研究。本论文的主要研究内容如下:(1)机床旋转轴误差形成机理分析。分析旋转轴误差源,归纳机床旋转轴几何误差元素并用符号进行表示,根据多体系统运动学方法对机床拓扑结构
芋螺毒素(Conotoxins,CTX)具有序列超变、二硫键丰富、结构新颖、靶点广泛、生物毒性强等特点。它们既可以作为生物体内具有重要生理功能靶点的探针和“解码器”,又可作为海
<正>一、以社会热点问题为背景,关注社会可持续发展社会热点是指那些对社会影响大,几乎人所共知且易被学生接受的与化学知识有关的内容.热点问题在化学试题中的体现主要包括
高校基层党组织是高校开展党建工作的重要力量,是联系和服务群众的第一线,新形势下,高校党建工作应积极探索党员联系和服务群众的长效机制,准确把握新形势下群众工作的特点和
企业财务管理是房地产企业内部控制管理研究的重要课题之一,完善新形势下的房地产企业财务管理制度,对于提高企业资金利用率、防范未知财务风险、推动企业发展具有重要意义。
近些年随着我国人们对于教育的重视,小学心理健康教育已经受到了人们的关注和认识,越来越多的人们开始注重小学生的内心成长状况。随着时代的进步和发展,人们对于心理健康教
研究背景：哮喘是一种复杂的多基因疾病,由易感基因和环境因素共同作用决定。自1996年通过全基因扫描发现第一个哮喘连锁位点以来,目前已发现了数百个与哮喘相关的基因。FLG基