极低功耗的新型1.2kV 1GBT模块

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美国飞兆半导体公司(FFairchild Semiconductor)推出两种新型1.2kV的IGBT模块——FMG2G5C)US120和FMG2G75US120。它们罘用2-PAK模块封装,已通过了UL认证。两种新型模块的额定电流分别为50A和75A,同时优化了导通损耗[UCE(sat)]与关断损耗(Enff),使总体功率损耗非常低。与使用非穿通型(NPT)技术的同类元件相比,FHG2G75US120可减少功率损耗达20%。
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