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采用电子束蒸发法制备了过渡族金属（Fe、Co、Cu）掺杂ZnO薄膜。分析和研究了衬底温度以及Cu掺杂量对薄膜相结构的影响，获得沿c轴高度择尤取向的高质量ZnO薄膜，采用原子力显微镜（AFM）观察薄膜的显微结构，利用所得的图象信息对薄膜进行分析，发现400℃的衬底温度对硅村底薄膜是合适的，与XRD分析相吻合。通过对薄膜磁性能的分析和研究，得出一些有意义的结果：适量Fe、Co离子掺杂的ZnO薄膜，在室温下具有铁磁性，而在此基础上掺入少量的Cu离子能改善薄膜的磁性能。