论文部分内容阅读
<正> 器件 071 离子注入CdλHg1-xTe红外光伏探测器 Infrared photovoltaic detectors from ionimplanted CdλHg1-xTe,J.Marine,Appl.Phys.Lett.,15 Oct.1973,Vol.23,No.8,pp.450-452. 已用Al离子注入技术产生n-型区制成了CdxHg1-λTen-p结光伏探测器。用这种料材制成的注入式二极管,组分x=0.18,相应的禁带宽为0.1电子伏,灵敏面积为200×250微米的元件在77°K