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基于热场分析，在CRAM存储元传统结构的加热层和底电极之间插入一层存储介质GST，设计出含双层GST的CRAM存储元结构。在模拟存储元热场分布过程中引入热辐射边界条件，使模拟结果更接近实际。根据设计要求，将双层GST新型结构与传统结构的热场进行比较，结果表明，含双层GST的新型结构一方面实现了存储元与CMOS晶体管的热兼容，增强了器件的稳定性；另一方面，将reset电流减小到0．5mA，降低了器件功耗。