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ａ－ＳｉＧｅ：Ｈ材料的光电性能强烈地依赖于沉积条件，选择适当的氢稀释率、气体压强，掺锗率和辉光功率，获得了光带隙为１．４５ｅＶ，光暗电导比为１．６×１０＾５的高质量ａ－ＳｉＧｅ：Ｈ材料。
高质量非晶硅锗材料的研制
【摘 要】
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ａ－ＳｉＧｅ：Ｈ材料的光电性能强烈地依赖于沉积条件，选择适当的氢稀释率、气体压强，掺锗率和辉光功率，获得了光带隙为１．４５ｅＶ，光暗电导比为１．６×１０＾５的高质量ａ－ＳｉＧｅ：Ｈ材料。
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
【出 处】
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半导体杂志
【发表日期】
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1997年2期
【基金项目】
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国家“八五”计划,天津市“21世纪青年科学基金”的资助
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