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<正> 半导体探测器的漏电流系指其反向漏电流,它是探测器电学性能的主要标志之一,直接关系到探测器的能量分辨率,简单的表示式如下: FWHM_i=K(I_dτ)1/2(1)式中,FWHM_i是由探测器漏电流噪音引起的单能峰的半最大值处的全宽度;τ为主放大器成形网络的时间常数;Id为探测器的漏电流;K为常数,其值对硅和锗是不同的,对不同的成形网络也是不同的。