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在传统的热化学气相沉积(CVD)的基础上, 引入针尖电场, 开展了电场对碳纳米管阵列准直性改善的研究. 利用扫描电子显微镜(SEM)和Raman光谱两种表征手段, 研究了加电场与不加电场两种情况下得到的碳纳米管(CNT)阵列的准直性, 证明了电场对碳纳米管阵列准直生长的有效性. 文章还对电场诱导碳纳米管阵列准直生长的机理进行了初步的探讨, 认为电场使碳纳米管极化是CNT阵列准直生长的主要原因.