利用原位红外光谱研究钙钛矿复合半导体CH3NH3PbI3的稳定性

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利用高压原位红外光谱法实时跟踪监测了CH3NH3PbI3在高压氮气以及不同含量氧气气氛中加热时的变化规律.发现CH3NH3PbI3对氧气十分敏感,当氮气中含有1%(体积分数)的氧气时,CH3NH3PbI3加热到150℃发生分解;继续提高氧气含量到21%,温度升高到100℃时CH3NH3PbI3即发生分解;若在常压高纯氮气中加热,其分解温度则能提高到250℃;若将氮气压力提高到4.0 MPa,CH3NH3PbI3的分解温度进一步提高到270℃.实验结果表明,提高压力和减少环境中的氧含量是改善钙钛矿复合半导体
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