【摘 要】
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利用低温等离子体技术,使八甲基环四硅氧烷(D4)聚合沉积在磨砂革表面,制备了超疏水性磨砂革.测定表明:经低温等离子体处理后的磨砂革,其静态接触角可达150°以上,滚动角低于1
【机 构】
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四川大学皮革化学与工程教育部重点实验室,四川成都610065四川大学制革清洁技术国家工程实验室,四川成都610065;
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利用低温等离子体技术,使八甲基环四硅氧烷(D4)聚合沉积在磨砂革表面,制备了超疏水性磨砂革.测定表明:经低温等离子体处理后的磨砂革,其静态接触角可达150°以上,滚动角低于10°;扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察表明,D4聚合物沉积在磨砂革表面;X射线能谱(EDS)和X射线光电子能谱(XPS)分析表明,磨砂革表面经D4-低温等离子体处理后,其表面Si元素的百分含量明显升高,且生成了Si-O-C键.因此,八甲基环四硅氧烷可通过低温等离子体作用形成聚合物,该聚合物与磨砂革表面经低温等离子体活化产生的自由基反应,从而稳定地沉积于磨砂革表面,赋予磨砂革超疏水性.
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