我国6英寸半绝缘GaAs单晶研制实现零突破

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中国电子科技集团公司第四十六研究所日前率先研制成功直径 6英寸半绝缘砷化镓单晶 ,实现了我国直径 6英寸半绝缘砷化镓单晶研制零的突破。砷化镓作为第二代半导体材料 ,在移动通信、电子对抗、雷达、精确制导和超高速计算机等新型军、民用装备中起着至关重要的作用。当今国际 China Electronics Technology Group Corporation 46th Institute recently developed the first successful diameter of 6 inches semi-insulating gallium arsenide crystal, to achieve China’s 6-inch diameter semi-insulating gallium arsenide single crystal development zero breakthrough. As the second generation of semiconductor materials, gallium arsenide plays a crucial role in new military and civilian equipment such as mobile communications, electronic warfare, radar, precision guidance and ultra-high speed computers. Today’s international
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