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基于表面势解析模型,通过将多子带等效为单子带,建立了耗尽/反型状态下小尺寸MOSFET直接隧穿栅电流解析模型.模拟结果与自洽解及实验结果均符合较好,表明此模型不仅可用于SiO
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基于数学形态学的对偶法则以及数学形态学理论与线性位移不变系统理论间的关系,引入了偏振编码技术,提出使击中与否运算通过单通道取零阈值非相干光学相关器来实现的方案。该方案采用偏振编码,将图像的前景和背景都包含在一个编码图像中,从而使击中与否运算可以用一个腐蚀算子完成(即通过单通道实现),大大简化了实验装置,节约了空间,降低了对光路调节的要求。同时,通过取零阈值,消除了由于入射光强分布不均匀及CCD光电
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