【摘 要】
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随着集成电路特征尺寸的不断缩短，利用先进的高k/金属栅堆叠来取代传统的SiO2/多晶硅栅结构成为微电子技术发展的必然，确保这些新的栅极堆叠类型具有足够的可靠性是非常重要的
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（NSFC60606015）,上海市浦江人才计划资助项目（05PJ14068）,上海交通大学微电子学院科研基金资助项目.
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随着集成电路特征尺寸的不断缩短，利用先进的高k/金属栅堆叠来取代传统的SiO2/多晶硅栅结构成为微电子技术发展的必然，确保这些新的栅极堆叠类型具有足够的可靠性是非常重要的。综述了高k栅介质可靠性的研究现状，阐明了瞬态充电效应导致的阈值电压不可靠问题，对偏压温度不稳定现象（BTI）和高k击穿特性进行了探讨。
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