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本文论述了使用４Ｈ－ＳｉＣ衬底及外延层制作ＭＥＳＦＥＴ的方法，测得了栅长为０．７μｍ、栅宽为３３２、ｍ的ＭＥＳＦＥＴ的直流、Ｓ参数和输出功率特性。
在1.8GHz频率下功率密度为2.8W／mm的4H—SiCMESFET
【摘 要】
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本文论述了使用４Ｈ－ＳｉＣ衬底及外延层制作ＭＥＳＦＥＴ的方法，测得了栅长为０．７μｍ、栅宽为３３２、ｍ的ＭＥＳＦＥＴ的直流、Ｓ参数和输出功率特性。
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1996年3期
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