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采用固体三氧化二硼,在硅衬底上用HFCVD法生长金刚石薄膜.对CVD金刚石薄膜的进行了表面形貌和结构进行了研究,并测试了不同硼掺杂浓度的金刚石膜载流子浓度及其电阻率.结果表明：金刚石膜结构致密,硼掺杂有利于改善膜质量,膜中载流子浓度随着掺杂浓度的提高不断提高.
硼掺杂对金刚石薄膜载流子浓度的影响
【摘 要】
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采用固体三氧化二硼,在硅衬底上用HFCVD法生长金刚石薄膜.对CVD金刚石薄膜的进行了表面形貌和结构进行了研究,并测试了不同硼掺杂浓度的金刚石膜载流子浓度及其电阻率.结果表
【机 构】
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天津理工大学电子信息工程学院
【出 处】
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天津理工大学学报
【发表日期】
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2009年6期
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