【摘 要】
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采用二次合成工艺得到了PSN-PZN-PM S-PZT五元系压电陶瓷。实验数据表明:组成在准同型相界处压电陶瓷的综合性能达最佳。在此基础上,分析组成在准同型相界处压电陶瓷的烧结温
【基金项目】
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天津大学先进陶瓷及加工技术教育部重点实验室资助项目(x06050)
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采用二次合成工艺得到了PSN-PZN-PM S-PZT五元系压电陶瓷。实验数据表明:组成在准同型相界处压电陶瓷的综合性能达最佳。在此基础上,分析组成在准同型相界处压电陶瓷的烧结温度与体密度、气孔率、晶粒大小及介电、压电性能的关系。结果表明,在合成温度为860°C时可得到钙钛矿结构。烧结温度1 260°C保温3 h条件下,得到一种综合性能优良的压电材料。主要参数为:3Tε3/0ε=1390,tanδ=0.32%,d33=303 pC/N,kp=55.1%,Qm=1 180。定量S r2+、B a2+的加入使相界向富锆方向移动,性能参数为,3Tε3/0ε=1 162,tanδ=0.30%,d33=307 pC/N,kp=56.8%,Qm=1 230。
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